Справочник радиолюбителя

Транзистор 2SD1717-P

Цоколевка транзистора 2SD1717-P

Цоколевка транзистора 2SD1717-P (маркируется как D1717-P)

Характеристики транзистора 2SD1717-P

  • Структура - n-p-n
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: 160 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
  • Ток коллектора, не более: 12 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 120 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
  • Корпус: TO-3P

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SD1717 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1717-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD1717-S - в диапазоне от 80 до 160, 2SD1717-P - в диапазоне от 100 до 200.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SD1717-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "D1717-P".

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SD1717-P является транзистор 2SB1162-P c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2SD1717-P можно заменить на 2SC3320, 2SD1313, 2SD1718, 2SD1718-P, MJL4281A, MJL4281AG