Справочник радиолюбителя

Транзистор 2SB1162

Цоколевка транзистора 2SB1162

Цоколевка транзистора 2SB1162 (маркируется как B1162)

Характеристики транзистора 2SB1162

  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -12 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 120 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 200
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
  • Корпус: TO-3P

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB1162 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1162-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB1162-S - в диапазоне от 80 до 160, 2SB1162-P - в диапазоне от 100 до 200.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB1162 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B1162".

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB1162 является транзистор 2SD1717 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB1162 можно заменить на 2SB1163