Справочник радиолюбителя

Транзистор 2SB1163

Цоколевка транзистора 2SB1163

Цоколевка транзистора 2SB1163 (маркируется как B1163)

Характеристики транзистора 2SB1163

  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -180 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -180 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -15 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 200
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
  • Корпус: TO-3P

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB1163 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1163-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB1163-S - в диапазоне от 80 до 160, 2SB1163-P - в диапазоне от 100 до 200.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB1163 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B1163".

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB1163 является транзистор 2SD1718 c n-p-n структурой.