Справочник радиолюбителя

Транзистор КТ855В

Цоколевка транзистора КТ855В

Цоколевка и размеры транзистора КТ855В

Обозначение транзистора КТ855В на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ855В обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Обозначение транзистора КТ855В на схемах

Характеристики транзистора КТ855В

  • Структура p-n-p
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 150 В
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 150 В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 5000(8000) мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (40) Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>15
  • Обратный ток коллектора <=1000 мкА
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>5 МГц
  • Коэффициент шума биполярного транзистора <1 дБ