Транзистор MJ15012G

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -250 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -250 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 200 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 20 до 120
• Корпус: TO-3

Комплементарной парой для MJ15012G является транзистор MJ15011G c n-p-n структурой.Транзистор MJ15012G можно заменить на MJ15012