Транзистор BDT63

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 1000
• Корпус: TO-220

Комплементарной парой для BDT63 является транзистор BDT62 c p-n-p структурой.Транзистор BDT63 можно заменить на 2N6387, 2N6387G, 2N6388, 2N6388G, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388, MJF6388G, TIP142T