Справочник радиолюбителя

Транзистор 2SB1116

Цоколевка транзистора 2SB1116

Цоколевка транзистора 2SB1116 (маркируется как B1116)

Характеристики транзистора 2SB1116

  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
  • Ток коллектора, не более: -1 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 135 до 600
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 120 МГц
  • Корпус: TO-92

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB1116 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1116L имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, 2SB1116K - в диапазоне от 200 до 400, 2SB1116U - в диапазоне от 300 до 600, 2SB1116-L - в диапазоне от 135 до 270, 2SB1116-K - в диапазоне от 200 до 400, 2SB1116-U - в диапазоне от 300 до 600.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB1116 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B1116".

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB1116 является транзистор 2SD1616 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB1116 можно заменить на KSB1116, KSB1116S