Транзистор 2N6676

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 450 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 8 V
• Ток коллектора, не более: 15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 175 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 8
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-3

Транзистор 2N6676 можно заменить на 2N6546, 2N6547, 2N6677, 2N6678, 2SC2429, 2SC2429A, 2SC2920, 2SC3058, 2SC3058A, BUX48, BUX48A, BUX48B, BUX48C, MJ10000, MJ10001